冶煉硅鐵時(shí)在反應(yīng)中的二氧化硅首先破壞被還原成一氧化硅。部分的一氧化硅氣體在上升過(guò)程中與料層中焦炭接觸并作用后，較易生成碳化硅。其反應(yīng)如下：

SiO+2C=SiC+CO↑

冶煉過(guò)程中，焦炭加入量過(guò)多時(shí)，更易產(chǎn)生碳化硅。其反應(yīng)式如下：

SiO2+3C=SiC+2CO↑

往往在修爐時(shí)于料層內(nèi)部發(fā)現(xiàn)大量碳化硅﹙冷卻后呈褐色，稍有光澤并是針狀結(jié)晶﹚，說(shuō)明產(chǎn)生碳化硅的反應(yīng)是存在的，并且是中間產(chǎn)物。

碳化硅SiC的熔點(diǎn)約為2500℃，不易熔化，電阻小，導(dǎo)電性強(qiáng)。因此，爐中積存過(guò)多碳化硅，使?fàn)t況惡化。雖然碳化硅易產(chǎn)生，但在冶煉中由于爐料中有鋼屑，碳化硅較輕易被鐵﹙Fe﹚破壞，其反應(yīng)式如下：

SiC+Fe=FeSi+C

冶煉45硅鐵，因爐料中鋼屑較多，碳化硅更易破壞，所以，碳化硅對(duì)爐況沒(méi)有影響。碳化硅在高溫時(shí)，還可被二氧化硅所破壞，其反應(yīng)式如下：

SiO2+2SiC=3 Si+2CO↑

2SiO2+SiC=3SiC+CO↑

較大容量硅鐵電爐，因爐溫高，碳化硅更易被破壞。碳化硅在高溫時(shí)還可以被一氧化硅破壞，其反應(yīng)式如下：

SiO+SiC=2Si+CO↑

較小容量的電爐中冶煉硅鐵時(shí)，由于爐內(nèi)溫度較低，破壞碳化硅的反應(yīng)，不易充分進(jìn)行，因此，有時(shí)有較多的碳化硅存在爐內(nèi)，因它的熔點(diǎn)高，導(dǎo)電性強(qiáng)，致使電極不能較深地插入爐內(nèi)，造成爐況惡化。此種情況在較小容量的硅鐵電爐是比較經(jīng)常發(fā)現(xiàn)的，為了糾正這種不正?，F(xiàn)象，應(yīng)將爐中碳化硅盡量掘出，或附加些鋼屑破壞碳化硅，同時(shí)適當(dāng)?shù)販p少焦炭加入量，以改善爐況。